奈米世界的困境:雜訊無所不在
在半導體元件的物理極限下,真實訊號往往被淹沒在雜訊的汪洋中。

設計哲學:從物理根源根除雜訊
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拒絕治標不治本 傳統探針台僅是在架構上疊加屏蔽功能。 SJD的量測堡壘 我們從零開始,將抗干擾思維融入每一個設計環節。 目標不是「抑制」雜訊,而是從物理上消除雜訊產生的可能性。 |
精准的基石:三大核心技術
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訊號的專屬高速公路:星型接地(Star Grounding)
傳統菊鏈式接地:數位雜訊污染敏感訊號




雙重優勢:為直流與高速量測奠定基石

全方位電磁屏蔽:隔絕隱形干擾
| 量測的穹頂 透過大面積接地層與優化結構,防止系統像天線一樣接收空間雜訊。 創造純淨的黑色背景。 |
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定位穩定性達11奈米
掌控熱與機械的微觀戰

-熱漂移控制(Thermal Drift Control):在高靈敏度或長時間變溫測試中,SJD將位置漂移抑制在11nm等級。
-為何重要:確保深針與Pad之間持續穩固的接觸。如果探針移動,接觸電阻就會改變,IV數據就會失真。
消除數據中的「鬼影」:熱壓電效應補償
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| 科學原理:焦電效應(Pyroelectric Effect) 溫度變化會感應出虚假的電荷(Ghost Voltage),導致IV曲線 在不同溫度下出現錯誤偏移。 |
SJD解方:自動抵消機制 深入考量熱、電、機三場耦合,設計能自動抵消感應電壓, 確保數據只反映元件特性,而非環境溫度。 |
TXA結構:捕捉pA等級的微弱呼吸
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極致靈敏(Ultimate Sensitivity)
具備將Pico-Ampere (皮安培)等級的微小電流穩定轉換為可測量信號的能力。 極低寄生電容 優化的結構設計將內部干擾最小化,適用於高阻抗元件測試與微弱訊號捕捉。 |
圍堵每一顆電子:低於3nA的暗電流
| 漏電是敵人 任何不屬於待測元件的雜散電流,都會扭曲結果。 |
雙重防禦 1.高阻抗隔雕:單點接地與專利結構,防止電流洩漏。 2.低暗電流環境:將系統背景雜訊壓低至3nA以下。 |
數據不說謊:SJD系統vs.典型系統

系統性整合的巔峰

從星型接地到11nm穩定性,再到TXA結構。這就是「高速與精密電性量測」的全新定義。







